[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200780028312.1 | 申请日： | 2007-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101496175A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 关章宪;谷由加里;柴田典义 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;财团法人日本精细陶瓷中心 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋 亭;苗 堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体装置，在飘移层(30)上设有构成源电极(100)与漏电极(110)之间的载流子流路的一部分的沟道层(40)。沟道层(40)由形成于飘移层(30)上的Ge粒状晶体与覆盖该Ge粒状晶体的帽层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，是利用栅电压来控制源区域与漏区域之间的载流子流动的碳化硅半导体装置，至少具备碳化硅基板和沟道层，所述沟道层设于所述碳化硅基板上、构成所述源区域与所述漏区域之间的载流子流路的至少一部分、并且含有Si1-xGexC晶体和Ge浓度高于该晶体的Ge粒状晶体，其中式Si1-xGexC中，0≤x＜1。
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