[发明专利]取代的苯并二噻吩和苯并二硒吩

摘要

本发明涉及炔基取代的苯并二噻吩和苯并二硒吩，它们在光学、电光学或电子设备中尤其作为半导体或电荷输送材料的用途，以及包括这些材料的设备。

主权项

1.式I化合物：其中X是S或Se，R每次出现时彼此独立为R³或-SiR′R″R′″，Ar¹和Ar²彼此独立为任选被一个或多个基团R³取代的芳基或杂芳基，或表示-CX¹＝CX²-或-C≡C-，a和b彼此独立为1、2、3、4或5，R¹、R²和R³彼此独立为H，卤素或具有1-40个C原子的直链、带支链或环状烷基，或任选取代的芳基或杂芳基，或P-Sp-，所述烷基可以未被取代或被F、Cl、Br、I或CN单取代或多取代，所述烷基中一个或多个不相邻的CH₂基团还可以在每种情况下彼此独立地被-O-、-S-、-NH-、-NR⁰-、-SiR⁰R⁰⁰-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-SCO-、-CO-S-、-CH＝CH-或-C≡C-以O和/或S原子不直接彼此相连的方式替代；P是可聚合或反应性基团，Sp是间隔基团或单键，X¹和X²彼此独立为H、F、Cl或CN，R⁰和R⁰⁰彼此独立为H或具有1-12个C原子的烷基，以及R′、R″和R′″是相同或不同基团，选自H，直链、带支链或环状C₁-C₄₀烷基或C₁-C₄₀烷氧基，C₆-C₄₀芳基，C₆-C₄₀芳烷基或C₆-C₄₀芳基烷氧基，其中所有这些基团任选地被一个或多个卤原子取代。