[发明专利]使用电偏置应力的TFT阵列的阵列测试方法无效
| 申请号： | 200780028780.9 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101495877A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 全明铁 | 申请（专利权）人： | 光子动力学公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于检测薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)面板中的TFT缺陷的方法，其部分地包括：向设置在面板上的TFT施加应力偏置；以及检测TFT电特性的变化。TFT电特性的变化可使用电压成像光学系统或电子束来检测。在施加应力偏置时，可改变面板温度。可选地，检测TFT阵列上的电特性的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 偏置 应力 tft 阵列 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)面板中的TFT缺陷的方法，包括：向设置在所述面板上的TFT施加应力偏置；终止所述应力偏置；以及检测所述TFT的电特性的变化。
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