[发明专利]蚀刻牺牲氧化硅层的方法有效
| 申请号： | 200780028894.3 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101500935A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·奥哈拉 | 申请（专利权）人： | 点35微结构有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陶贻丰;郑 霞 |
| 地址： | 英国利*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 描述了一种释放微结构的受控的方法，该微结构包括位于衬底层与将要从氧化硅层释放的层之间的氧化硅层。该方法包括步骤：在具有受控的温度和压力条件的处理室中，使氧化硅层暴露于氟化氢蒸气。此反应的副产物是水，水还作为蚀刻过程的催化剂。以受控的方式利用此内在的水源，导致只在氧化物层的暴露表面上形成冷凝的流体层，且因而只在氧化物层的暴露表面上进行蚀刻。因此，所述方法减弱了在蚀刻的微结构内的毛细作用导致的黏附效应和/或减弱了微结构内的腐蚀以及处理室本身的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 牺牲 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种释放微结构的方法，所述微结构包括氧化硅层，所述氧化硅层位于衬底层与将要从所述氧化硅层释放的层之间，所述方法包括步骤：在具有受控的温度和压力条件的处理室中，将所述氧化硅层暴露于氟化氢蒸气，以使受控的冷凝的流体层形成在所述氧化物层的暴露表面上。
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