[发明专利]集成设备无效
| 申请号： | 200780029479.X | 申请日： | 2007-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101501854A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | H·利夫卡;A·A·M·多特曼斯;E·A·纽伦坎普;C·塔纳斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;刘 红 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及集成设备(10)，其包括：至少一个有源有机元件(14，24，26)，支撑该至少一个有源有机元件的衬底，耦合到该至少一个有源有机元件的预制薄电池(20)，和用于密封该集成设备的封装，其中，该衬底和封装中的一个由该预制薄电池形成。该结构允许薄的集成设备。本发明还涉及用于制造这样的集成设备的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 设备 | ||
【主权项】：
1、一种集成设备(10)，包括：至少一个有源有机元件(14，24，26)，支撑该至少一个有源有机元件的衬底，耦合到该至少一个有源有机元件的预制薄电池(20)，和用于密封该集成设备的封装，其中，该衬底和该封装中的一个由该预制薄电池形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
