[发明专利]电阻变化型元件和电阻变化型存储装置有效
申请号: | 200780029617.4 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101501851A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 村冈俊作;小佐野浩一;藤井觉 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置,电阻变化型元件(10)包括:第一电极;第二电极;以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3),其中,电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1-x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料,并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性:通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲,第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升;通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲,第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。 | ||
搜索关键词: | 电阻 变化 元件 存储 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种电阻变化型元件,其特征在于,包括:第一电极;第二电极;和配置在所述第一电极与所述第二电极之间并与所述第一电极和所述第二电极电连接的电阻变化层,其中所述电阻变化层包含具有以(ZnxFe1-x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料,该电阻变化型元件具有下述特性:通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲,所述第一电极与所述第二电极之间的电阻下降;通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加具有极性与所述第一电压相同的第二电压的第二电压脉冲,所述第一电极与所述第二电极之间的电阻上升。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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