[发明专利]用于优化非晶硅的结晶的系统和方法无效

专利信息
申请号: 200780029667.2 申请日: 2007-07-23
公开(公告)号: CN101517135A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: B·A·特克;B·伯范德特;D·S·诺尔斯 申请(专利权)人: TCZ私营有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 北京嘉和天工知识产权代理事务所 代理人: 严 慎
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 在被配置为使玻璃基底上的硅层退火的薄光束定向结晶系统中,使用特殊的激光光束分布,所述激光光束分布在一个边缘具有强度峰值。该系统完全熔融硅膜的一空间受控的部分,导致横向晶体生长。通过推进基底或者激光器某个步长并且使硅层经受来自激光器的连续逐次“照射”,使整个硅层结晶。横向晶体生长在熔融区域的中心造成凸起,该凸起必须被重新熔融。因此,所述步长必须允许在连续逐次照射之间即熔融区之间具有足够的重叠,以确保凸起被熔融。这要求步长小于光束宽度的一半。较小的步长减小吞吐率而增加成本。根据本文描述的系统和方法所使用的特殊的激光分布可以增加步长,并且由此增加吞吐率且降低成本。
搜索关键词: 用于 优化 非晶硅 结晶 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于处理衬底的设备,包括:被配置为周期性地产生激光的激光器;光束整形光学系统,所述光学系统被耦合到所述激光器并且被配置为将从所述激光器发出的激光转换为具有短轴和长轴的长而薄的光束;以及被配置为支撑所述衬底的工作台;以及耦合到所述工作台的平移器,所述平移器被配置为推进所述衬底,从而产生与所述激光器的周期性发射相协同的步长,所述平移器和所述激光器还被配置为导致故意的步进过照射。
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