[发明专利]表面发射激光元件及其制造方法和表面发射激光阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 200780029934.6 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101501946A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 松原秀树;齐藤裕久;中西文毅;松川真治 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III-V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 激光 元件 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1. 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底的步骤，所述导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)以及低位错密度低电导区(10c)，所述高位错密度高电导区(10a)具有高的位错密度和载流子浓度，所述低位错密度高电导区(10b)具有比所述高位错密度高电导区(10a)的位错密度低的位错密度，所述低位错密度低电导区(10c)具有比所述高位错密度高电导区(10a)的位错密度和载流子浓度低的位错密度和载流子浓度，半导体层堆叠体形成步骤，在所述导电性GaN多区域衬底的一个主表面(10m)上形成包括发射层(200)的III-V族化合物半导体层堆叠体(20)，以及，电极形成步骤，在所述III-V族化合物半导体层堆叠体(20)的最上层上形成半导体层侧电极(15)，以及在所述导电性GaN多区域衬底的另一主表面(10n)上形成衬底侧电极(11)，其中，所述III-V族化合物半导体层堆叠体(20)、所述半导体侧电极(15)和所述衬底侧电极(11)被形成为使得在所述发射层(200)中的流入载流子的发射区(200a)被限制位于所述低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。
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