[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜有效
| 申请号： | 200780030645.8 | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101506961A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 奥屋珠生;有贺广志;樋口义明 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C33/68 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供气体透过性低、由模塑树脂导致的模具污染少、具有高脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。该脱模膜是一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，塑料支持层(II)较好的是由乙烯/乙烯醇共聚物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 树脂 模塑用 脱模 | ||
【主权项】：
1. 一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，该脱模膜至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，其特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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