[发明专利]光检测器和光检测器的制造方法

摘要

本发明涉及光检测器，本发明的一实施方式的光检测器(1)具备：n型InAs基板(12)；形成在n型InAs基板(12)上的n型InAs缓冲层(14)；形成在n型InAs缓冲层(14)上的n型InAs光吸收层(16)；形成在n型InAs光吸收层(16)上的InAs_XP_YSb_1-X-Y顶盖层(18)(X≥0，Y＞0)；形成在顶盖层(18)上且在堆积方向上具有开口部(20h)的第1无机绝缘膜(20)；由p型杂质自第1无机绝缘膜(20)的开口部(20h)扩散而形成的p型杂质半导体层(24)，其自顶盖层(18)到达n型InAs光吸收层(16)的上层为止；以及形成在第1无机绝缘膜(20)上及p型杂质半导体层(24)上的第2无机绝缘膜(22)。

主权项

1. 一种光检测器，其特征在于，具备：第1导电型InAs基板；第1导电型InAs缓冲层，其形成于所述第1导电型InAs基板上；第1导电型InAs光吸收层，其形成于所述第1导电型InAs缓冲层上；顶盖层，其形成于所述第1导电型InAs光吸收层上，且由包含As、P及Sb中的至少两者和In的InAsXPYSb1-X-Y(X≧0，Y>0)构成；第1无机绝缘膜，其形成于所述顶盖层上，且在堆积方向上具有开口部；第2导电型杂质半导体层，其由第2导电型杂质自所述第1无机绝缘膜的开口部扩散而形成，并且自所述顶盖层到达至所述第1导电型InAs光吸收层的上层为止；以及第2无机绝缘膜，其形成于所述第1无机绝缘膜上及所述第2导电型杂质半导体层上。