[发明专利]低电阻接触结构及其制造有效
| 申请号： | 200780031776.8 | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101542710A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | S·V·德什潘德;P·W·德哈文;A·马丹;黄洸汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬。还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 接触 结构 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种界面连接半导体器件和后端工艺互连的结构，所述结构包括：电介质材料层中的至少一个接触开口；沿所述接触开口形成的第一衬垫，所述第一衬垫是化学气相淀积(CVD)的TiN膜并且因此具有CVD-TiN膜的属性；和在所述第一衬垫上面形成的第二衬垫，所述第二衬垫是物理气相淀积(PVD)的TiN膜并且因此具有PVD-TiN膜的属性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
