[发明专利]半导体器件上自组装的纳米线型互连的制作

摘要

本发明涉及一种具有纳米线型互连元件的半导体器件和一种制作该半导体器件的方法。该器件包括具有至少一个自组装的金属枝晶并且形成第一和第二金属结构之间的互连元件(424)的金属结构。该制作包括提供适合于实现第一和第二金属结构之间的至少一个金属枝晶生长的与衬底的互连表面区域相邻的周围环境，和通过用能量适合于在第一和第二掺杂衬底区域中产生自由载流子的光子照射pn结并且因而在第一和第二金属结构之间建立适合于金属从第一和第二金属结构中的至少一个电解出来的电势差，来发起和维持第一和第二金属结构之间的互连表面区域中的包括至少一个金属枝晶的第三金属结构的自组装。

主权项

1. 一种半导体器件(500)，包括-半导体衬底(502)，该半导体衬底具有由第一导电类型的第一掺杂衬底区域(506)和相反的第二导电类型的第二掺杂衬底区域(526)形成的pn结(537)；-该半导体衬底上的层结构，该层结构包括与第一掺杂衬底区域导电连接的第一金属结构(534)，此外还包括与第二掺杂衬底区域导电连接的第二金属结构(536)，该层结构允许具有适合于在第一掺杂衬底区域(506)和第二掺杂衬底区域(526)中产生自由载流子的能量的光子的传输；和-第三金属结构(538)，该第三金属结构包括至少一个自组装的金属枝晶并且形成第一金属结构(534)和第二金属结构(536)之间的互连元件。