[发明专利]用于形成超薄表面的组合电化学和激光微加工法无效
| 申请号： | 200780032739.9 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101511525A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | J·P·普日希斯塔尔 | 申请（专利权）人： | 邦及奥卢夫森公司 |
| 主分类号： | B23K26/40 | 分类号： | B23K26/40;B23K26/42;C25F3/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于 静 |
| 地址： | 丹麦*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在导电材料中制造超薄部分的方法，其包括：首先通过电化学法去除材料，直至材料厚度约为10至20微米；其次通过激光微加工法进一步去除材料，直至材料厚度约为1至5微米。通过结合这两种方法，能够通过电化学法快速去除相当数量的材料。该电化学法的精度和准确度不足以单独依靠和利用该方法形成超薄部分或者半透明部分。然而，通过用电化学法去除材料直至厚度约为10至12微米，提供了充足的余地，因此该电化学法可被控制成满足在此第一腔的底部留有一定的材料厚度。然后通过在激光微加工法中应用激光技术，可以相对较快地使剩余材料降至预定水平，例如1至5微米，因此实现一种相对较快的用于在导电材料上制造这些超薄部分的方法。同时公开了通过该具有新颖性和创造性的方法制造的金属结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 超薄 表面 组合 电化学 激光 加工 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在导电材料中制造超薄部分的方法，其包括：首先，通过电化学法去除材料，直至材料厚度约为10至20微米；其次，通过激光微加工法进一步去除材料，直至材料厚度约为1至5微米。
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