[发明专利]光接收器件以及光接收器件的制造方法无效
申请号: | 200780033315.4 | 申请日: | 2007-09-03 |
公开(公告)号: | CN101512782A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 藤泽知隆 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光接收器件包括:具有第二导电类型的第一区(21)的光接收单元(11),形成在与第二导电类型不同的第一导电类型的半导体衬底(10)上;和第二导电类型的第二区(22),围绕光接收单元(11)经由第一导电类型的分离区(23)而形成在至少部分的半导体衬底(10)上并与第一区(21)电独立。第二区(22)固定至独立于第一区(21)的电势。形成在光接收单元(11)上的层间绝缘膜(41)具有开口(42),该开口(42)形成为从第一区(21)上穿过隔离区(23)而到达第二区(22)上的部分。因此,至少在围绕光电二极管光接收单元的一部分区域,形成了与光电二极管具有相同导电类型的区域以使得由进入该区域的光子产生的载流子被清除,从而改善了光电二极管的光灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 接收 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光接收器件,包括:光接收部分,形成在第一导电类型的半导体衬底中并具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一区;和所述第二导电类型的第二区,围绕所述光接受部分经由所述第一导电类型的隔离区形成在至少部分的所述半导体衬底上并与所述第一区电独立,其中所述第二区固定至独立于所述第一区的电势,并且形成在所述光接收部分上的绝缘膜的开口形成为从所述第一区上的区域经由所述隔离区上的区域而到达部分的所述第二区上的区域。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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