[发明专利]使用能量转换层的相变存储器元件、包含相变存储器元件的存储器阵列及系统以及其制作及使用方法有效
| 申请号： | 200780033735.2 | 申请日： | 2007-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101512788A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;迈克·瓦奥莱特;乔恩·戴利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种相变存储器元件(100)及形成所述相变存储器元件的方法。所述存储器元件包含电耦合到第一(14)及第二(22)传导材料层的相变材料层(24)。能量转换层(18)经形成而与所述相变材料层相关联且电耦合到第三传导材料层(26)。在所述相变材料层与所述能量转换层之间形成电隔离材料层(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 能量 转换 相变 存储器 元件 包含 阵列 系统 及其 制作 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器元件，其包括：相变材料层，其电耦合到第一及第二电极；能量转换层，其经形成而与所述相变材料层相关联，且电耦合到至少一第三电极；及电隔离材料层，其形成于所述相变材料层与所述能量转换层之间。
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