[发明专利]半导体外延结晶基板的制造方法有效
| 申请号： | 200780034062.2 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101517715A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 佐泽洋幸;西川直宏;秦雅彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 结晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体外延结晶基板的制造方法，向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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