[发明专利]闪烁多电平阈值分布方案有效
| 申请号： | 200780034118.4 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101517652A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 金镇祺 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/02;G11C7/10;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 勇;姜 华 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案，其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平，以最小化读出干扰效应，由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化，则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V，而编程电压域大于0V。因此，用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用负和正的高电压。 | ||
| 搜索关键词： | 闪烁 电平 阈值 分布 方案 | ||
【主权项】：
1、一种闪烁存储器装置，包括：具有按行和列布置的存储器单元的存储器阵列，每一个存储器单元是可擦除的以具有擦除电压域中的擦除阈值电压并且是可编程的以具有所述擦除电压域中的编程阈值电压；用于在编程验证和读出操作期间以正电压和负电压的其中一个选择性地驱动连接到存储器单元的栅极端子的字线的行控制逻辑。
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