[发明专利]用于制造导体和半导体的方法有效
| 申请号： | 200780034311.8 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101518164A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | H·塞帕;M·艾伦 | 申请（专利权）人： | 芬兰技术研究中心 |
| 主分类号： | H05K1/09 | 分类号： | H05K1/09;B22F7/00;B22F1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 严志军;杨松龄 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及用于通过烧结制造结构的一种烧结方法。此外，本发明涉及烧结的产品、电子模块及新的用途。在该方法中，通过在颗粒材料上施加电压，包含导电的或半导电的包封的纳米颗粒的颗粒材料被烧结，用于提高它的导电性。在该方法中，基底被典型地使用，它的一个表面至少部分地设有包含纳米颗粒的层。此方法基于电压源和纳米颗粒之间的热反馈。本发明允许通过在室温和常压下烧结而制造导电的和半导电的结构和片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 导体 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.烧结方法，在所述烧结方法中，包含导电的或半导电的包封的纳米颗粒的颗粒材料被烧结，用于提高它的导电性，其特征在于，所述烧结通过在所述颗粒材料上施加电压来执行。
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