[发明专利]使用主动调节反应性气体的注入速度的喷头的化学气相沉积设备及其方法有效
申请号: | 200780034369.2 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101517704A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 卞哲秀;韩万哲 | 申请(专利权)人: | 派松尼克斯株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/448 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王 旭 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及使用喷头的化学气相沉积(CVD)用设备和方法,通过所述喷头,将至少一种反应性气体和吹扫气体注入到衬底上,在所述衬底上生长膜。将多个反应性气体喷头组件布置在吹扫气体喷头组件上。每种反应性气体在独立地流经所述喷头后,从所述喷头的底部注入,从而防止所述反应性气体导致均一气相反应和在所述喷头的内部产生不需要的颗粒。并且吹扫气体从所述喷头的底表面注入,通过形成保护屏障,从而抑制注入的反应性气体向后扩散。每种反应性气体在所述喷头内部的混合区内与注入载气混合,所述注入载气是一种惰性气体,其中通过混合的注入载气的量,主动地调节每种反应性气体的注入速度。本发明进一步包括其中通过冷却夹套冷却所述喷头的设备和方法,所述冷却夹套将所述喷头的温度保持在适当水平,以防止所使用的反应性气体的冷凝和热分解。 | ||
搜索关键词: | 使用 主动 调节 反应 性气 注入 速度 喷头 化学 沉积 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使用喷头的化学气相沉积(CVD)方法,通过所述喷头,将至少一种反应性气体和吹扫气体注入到位于反应室中的衬底上,以在所述衬底上沉积膜,所述方法包括以下步骤:设置所述喷头,使得所述喷头的底表面与所述衬底相隔预定的距离;将反应性气体和注入载气供给到所述喷头中,其中将不同种类的反应性气体分别输送到在所述喷头的内部形成的隔室内,使得每一种反应性气体与每一种注入载气在所述喷头内部的每一混合区中混合,并且将吹扫气体供给到在所述喷头的内部形成的独立隔室内;以及分别通过在所述喷头的所述底表面上形成的多个反应性气体出口和多个吹扫气体出口,注入与所述注入载气混合的所述反应性气体和注入所述吹扫气体。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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