[发明专利]自旋电子晶体管

摘要

本发明涉及自旋电子晶体管。一种半导体器件包括：包括硅的衬底；形成在衬底上的沟道区域；形成在衬底上、沟道区域的第一侧并且被配置为将自旋极化电流扩散到沟道区域中的自旋注入器；形成在衬底上、沟道区域的第二侧并且配置为接收来自沟道区域的所述自旋极化电流的自旋检测器；以及形成在衬底上、所述沟道区域的地带中的栅极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括硅；沟道区域，该沟道区域形成在所述衬底上；自旋注入器，该自旋注入器形成在所述衬底上、所述沟道区域的第一侧，并且被配置为将自旋极化电流扩散到所述沟道区域中；自旋检测器，该自旋检测器形成在所述衬底上、所述沟道区域的第二侧，并且被配置为接收来自所述沟道区域的所述自旋极化电流；以及栅极，该栅极形成在所述衬底上、所述沟道区域的地带中。