[发明专利]用液态Zn还原SiHCl3生产Si的方法无效
| 申请号： | 200780035165.0 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101547859A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·罗伯特;蒂亚科·宰莱马 | 申请（专利权）人： | 尤米科尔公司 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033;C30B29/06;C01B33/037;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及制造高纯度硅作为生产例如结晶硅太阳能电池的原材料。通过气态SiHCl3与液态Zn接触，将SiHCl3转化为Si，由此获得分离的含Si合金、H2与ZnCl2。随后在高于Zn沸点的温度下提纯该含Si合金。该方法不需要复杂的技术，并保持朝向最终产品的SiHCl3的高纯度。仅有的其它反应物是Zn，其可以以非常高的纯度等级获得，并可以在电解Zn氯化物后再循环。 | ||
| 搜索关键词： | 液态 zn 还原 sihcl sub 生产 si 方法 | ||
【主权项】：
1. 将SiHCl3转化为Si金属的方法，包括以下步骤：-令气态SiHCl3与含有Zn的液态金属相进行接触，由此获得含Si金属相、ZnCl2和H2；-令H2和ZnCl2与含Si金属相分离；和-在高于Zn沸点的温度下提纯该含Si金属相，由此蒸发Zn并获得Si金属，其特征在于在单一反应器中进行接触步骤与分离步骤。
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