[发明专利]磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录和再现装置无效
| 申请号： | 200780035193.2 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101517640A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 坂胁彰;福岛正人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/855 | 分类号： | G11B5/855;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李 峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步骤：对所形成的磁性层的表面施加SOG膜作为抗蚀剂，部分地去除或减薄所述抗蚀剂，并且用原子辐照所述表面，从而通过所述磁性层的去除了所述抗蚀剂或者其中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述磁性层中。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步骤：对所形成的磁性层的表面施加SOG膜作为抗蚀剂，部分地去除或减薄所述抗蚀剂，并且用原子辐照所述表面，从而通过所述磁性层的去除了所述抗蚀剂或者其中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述磁性层中。
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