[发明专利]用于离子注入器的新型且改进的束线架构有效
| 申请号： | 200780035716.3 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101553897A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 波·凡德尔贝格;派崔克·史皮林特尔 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 杨娟奕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种离子注入系统(410)的平行化部件(439)包括两个成角度的双极磁铁(439a、439b)，其彼此成镜像且用于弯曲横越其中的离子束(424)，以具有大致“s”形状。这种s弯曲用于从束中滤除杂质，同时所述双极平行化所述束以帮助在晶片(430)上有均匀的注入性能，例如注入角度。另外，在注入系统的末端处还包含减速级(457)，使得束的能量可在整个束线中均保持非常高，以减轻束扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 新型 改进 架构 | ||
【主权项】：
1.一种在离子注入系统中将离子注入工件中的方法，包括：在离子注入系统中产生离子束；在离子注入系统中弯曲束以使其具有大致s形状，同时把束平行化成多个平行的小束，使得各个小束具有大致相等的长度；把工件放置在所述小束的前面，使得把离子注入工件中。
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