[发明专利]LED半导体主体以及LED半导体主体的应用有效
| 申请号： | 200780035954.4 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101563778A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | R·温迪希;R·沃思;S·格罗特希;G·博格纳;G·柯克伯格;K·斯特鲁贝尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢 江;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种LED半导体主体(1)，该LED半导体主体(1)具有数量为至少两个的产生辐射的有源层(2、3)，所述有源层(2、3)分别具有导通电压(ULED)，其中有源层的数量匹配于工作电压(UB)，使得在与有源层(2、3)串联的串联电阻(10)上降落的电压(Uw)最多与在LED半导体主体(1)上降落的电压(UH)一样大。此外，本发明描述LED半导体主体(1)的不同应用。 | ||
| 搜索关键词： | led 半导体 主体 以及 应用 | ||
【主权项】：
1.一种LED半导体主体(1)，所述LED半导体主体(1)具有数量为至少两个的产生辐射的有源层(2、3)，所述有源层(2、3)分别具有导通电压(ULED)，其中所述有源层的数量匹配于工作电压(UB)，使得在与所述有源层(2、3)串联的串联电阻(10)上降落的电压(Uw)最多与在所述LED半导体主体(1)上降落的电压(UH)一样大。
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