[发明专利]SONOS ONO堆栈等比缩小有效
| 申请号： | 200780035963.3 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101517714A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·B·詹纳;赛格·利维 | 申请（专利权）人： | 塞普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在此论述了等比缩小一个非易失性电荷俘获存储器件。在一个实施例中，等比缩小包括多步氧化和氮化操作来提供给隧穿层比纯二氧化硅隧穿层具有更高的介电常数但是比衬底界面含氮隧穿层具有更少的氢和氮陷阱。在一个实施例中，等比缩小包括用非均匀的氮氧化合物形成电荷俘获层。在一个实施例中，电荷俘获层包括一个富硅富氧层和一个富硅富氧层上的富硅少氧氧氮化物层。在一个实施例中，等比缩小的方法包括稀释湿法氧化来致密化阻挡氧化物和氧化部分富硅少氧氧氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | sonos ono 堆栈 等比 缩小 | ||
【主权项】：
1.一种制造非易失性电荷俘获存储器件的方法，其特征在于，包括：形成衬底上的隧穿层；形成隧穿层上的氧氮化物电荷俘获层；沉积阻挡层在电荷俘获层上；以氧化退火致密化阻挡层，其中氧化退火氧化至少部分氧氮化物电荷俘获层，氧化的部分邻近阻挡层；以及形成栅层在致密化的阻挡氧化物上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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