[发明专利]发射辐射装置有效
| 申请号： | 200780036009.6 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101517035A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 乌特·利波尔德;曼弗雷德·科布施 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴亦华;蔡胜有 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发射辐射的装置(1)，其包含发射初级辐射(4)的发射辐射功能层(2)和通式为Ca3+x-yEuxMeySiO4Cl2的辐射转换材料，其中“Me”是来自Ba、Sr、Mg或这些金属任意组合的组的金属，所述转换材料设置在所述发射辐射功能层的光程中并且至少部分将初级辐射转换成波长更长的辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发射辐射装置(1)，其包含发射初级辐射(4)的发射辐射功能层(2)和辐射转换材料(3)，所述辐射转换材料设置在所述发射辐射功能层的光程中并且含有通式为Ca3-x-yEuxMeySiO4Cl2的辐射转换荧光材料(31)，其中荧光材料将初级辐射的至少一部分转化成次级辐射(5)。
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