[发明专利]光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物无效
| 申请号： | 200780036153.X | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101523297A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5％-3.0％、水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 残渣 聚合物 去除 组合 | ||
【主权项】：
1、一种去除在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣的组合物，其特征在于，含有氟化物的质量百分含量为0.5％-3.0％，水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于关东化学株式会社，未经关东化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780036153.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
