[发明专利]用于具有应变含锗层的器件的UV辅助电介质形成

摘要

一种形成半导体器件的方法包括：在真空处理工具中提供衬底，该衬底具有在衬底上的应变含Ge层和在应变含Ge层上的含Si层；将衬底维持在低于700℃的温度下；以及在UV辅助氧化工艺中将含Si层暴露于氧化基，以在最小化下层的应变含Ge层中的氧化和应变松弛的同时形成含Si电介质层。提供了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的应变含Ge层、以及形成在应变含Ge层上的含Si电介质层。该半导体器件还可包含在含Si电介质层上的栅极电极层或者含Si电介质层上的高k层和高k层上的栅极电极层。

主权项

1. 一种形成半导体器件的方法，包括：在真空处理工具中提供衬底，所述衬底具有在所述衬底上的应变含Ge层和在所述应变含Ge层上的含Si层；将所述衬底维持在低于700℃的温度下；以及在UV辅助氧化工艺中将所述含Si层暴露于氧化基，以在最小化下层的应变含Ge层中的氧化和应变松弛的同时形成含Si电介质层。