[发明专利]半导体装置的制造方法、显示装置的制造方法、半导体装置、半导体元件的制造方法以及半导体元件无效
| 申请号： | 200780036647.8 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101523581A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 竹井美智子;富安一秀;福岛康守;高藤裕;守口正生;德鲁斯·史蒂芬·罗伊 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现半导体元件的细微化和低电阻化并且能够简化工序的半导体装置的制造方法、显示装置的制造方法、半导体装置、半导体元件的制造方法以及半导体元件。本发明的半导体装置的制造方法是制造在基板上具有半导体元件的半导体装置的方法，上述制造方法包括金属硅化物形成工序，该工序将具有硅层和金属层层叠结构的半导体元件转移到基板上，通过加热，由构成硅层中的金属层侧部分的硅和构成金属层中的硅层侧部分的金属形成金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 显示装置 元件 以及 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置的制造方法，是制造在基板上具有半导体元件的半导体装置的方法，其特征在于：该制造方法包括如下的金属硅化物形成工序：将具有硅层和金属层层叠结构的半导体元件转移到基板上，通过加热，由构成硅层中的金属层侧部分的硅和构成金属层中的硅层侧部分的金属形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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