[发明专利]半导体封装和用于制造半导体封装的方法无效

专利信息
申请号: 200780037348.6 申请日: 2007-10-02
公开(公告)号: CN101523594A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 百川裕希 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体封装包括:外部电极焊盘(5),其通过由导电树脂或导电墨水制成的导电构件形成,其中,所述外部电极焊盘(5)连接到半导体器件的内部电路,并且其用以被电气连接到外部;镀层(6),其设置在外部电极焊盘(5)的整个表面上;以及绝缘树脂层(7),其覆盖外部电极焊盘(5)的外围边缘上的镀层(6),并且所述绝缘树脂层(7)暴露了外部电极焊盘(5)上的镀层(6)的一部分。
搜索关键词: 半导体 封装 用于 制造 方法
【主权项】:
1. 一种半导体封装,包括:外部电极焊盘,所述外部电极焊盘通过由导电树脂或导电墨水制成的导电构件形成,所述外部电极焊盘连接到半导体器件的内部电路,所述外部电极用以被电气连接到外部;镀层,所述镀层设置在所述外部电极焊盘的整个表面上;以及绝缘树脂层,所述绝缘树脂层覆盖所述外部电极焊盘的外围边缘上的所述镀层,所述绝缘树脂层暴露所述外部电极焊盘上的所述镀层的一部分。
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