[发明专利]薄膜晶体管基板及显示器件有效
| 申请号： | 200780037570.6 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101523612A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 日野绫;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/768;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源-漏电极(28、29)，其特征在于，所述源-漏电极(28、29)由含有氮的含氮层或含有氮及氧的含氧氮层(28a、29a)和纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)构成，构成所述含氮层的氮的一部分或者全部、或者构成所述含氧氮层的氮的一部分或者全部，与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)的Si结合。纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)经由所述含氮层或所述含氧氮层(28a、29a)与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管基板，其具有薄膜晶体管的半导体层和源—漏电极，其特征在于，所述源—漏电极由含有氮的含氮层或含有氮及氧的含氧氮层和纯Cu或Cu合金薄膜构成，构成所述含氮层的氮的一部分或者全部、或者构成所述含氧氮层的氮或氧的一部分或者全部，与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述纯Cu或Cu合金薄膜经所述含氮层或所述含氧氮层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。
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