[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200780037622.X | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101523578A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 中川良辅;山叶隆久;中尾雄一;鲛岛克己;荫山聪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备：半导体基板；在所述半导体基板上形成的第1铜布线；在所述第1铜布线上形成的、具有达到所述第1铜布线的孔的绝缘层；由含有钽的材料形成的、至少包覆所述孔内的侧面以及所述第1铜布线中的面对所述孔内的部分的阻挡层；与所述阻挡层紧贴而形成的、通过所述阻挡层与所述第1铜布线电连接的第2铜布线，所述阻挡层所含有的所述材料的氮的浓度具有以下变化的分布图：在与所述第1以及第2铜布线的边界部分相对低，在这些边界部分之间的中央部分相对高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，具备：半导体基板；在所述半导体基板上形成的第1铜布线；在所述第1铜布线上形成的、具有达到所述第1铜布线的孔的绝缘层；由含有钽的材料形成的、至少包覆所述孔内的侧面以及所述第1铜布线中的面对所述孔内的部分的阻挡层；与所述阻挡层紧贴而形成的、经由所述阻挡层与所述第1铜布线电连接的第2铜布线，所述阻挡层中所述材料所含有的氮的浓度具有以下变化的分布图：在与所述第1以及第2铜布线的边界部分相对低，夹在这些边界部分之间的中央部分相对高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
