[发明专利]用于基底预处理的装置有效
申请号: | 200780037762.7 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101542677A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | J·-P·海恩斯;V·柯克霍夫;L·克洛斯;C·梅茨纳;H·摩格纳;B·谢费尔 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周心志;梁 冰 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于预处理至少一个基底(21)的装置,该装置包括设置在真空室(22)中的低压电弧放电源(24;25)以产生等离子(26),由该等离子(26)可萃取出载荷子,利用该载荷子可冲击基底(21)的表面,其中基底(21)与带电的真空室接地部分(28)连接,并且用于使载荷子加速到基底表面的BIAS电压一方面将接通在基底(21)与真空室接地部分(28)之间,另一方面接通在在基底(21)与和等离子电压电势相近的电极(25)之间。 | ||
搜索关键词: | 用于 基底 预处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于预处理至少一个基底(21)的装置,所述装置包括设置在真空室(22)中的低压电弧放电源(24;25)以产生等离子(26),从所述等离子(26)可萃取出载荷子,利用所述载荷子可冲击所述基底(21)的表面,其特征在于,所述基底(21)与带电的真空室接地部分(28)连接,并且将用于使载荷子加速到基底表面上的BIAS电压一方面接通在所述基底(21)与真空室接地部分(28)之间,另一方面接通在所述基底(21)与和等离子电压电势相近的电极(25)之间。
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