[发明专利]连接结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200780037769.9 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101529603A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 清水健博;冈庭香;福岛直树 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L21/60;H01B5/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种连接方法，其为通过导电性粘接薄膜电连接太阳能电池单元的表面电极和配线部件的方法，导电性粘接薄膜含有绝缘性粘接剂和导电性粒子，表面电极的与所述导电性粘接薄膜接触的面的十点平均粗糙度设定为Rz(μm)、最大高度设定为Ry(μm)，导电性粒子的平均粒径r(μm)为十点平均粗糙度Rz以上，且导电性粘接薄膜的厚度t(μm)为最大高度Ry以上。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种连接方法，其为将太阳能电池单元的表面电极和配线部件通过导电性粘接薄膜进行电连接的方法，所述导电性粘接薄膜含有绝缘性粘接剂和导电性粒子，所述表面电极的与所述导电性粘接薄膜接触的面的十点平均粗糙度设定为Rz(μm)、最大高度设定为Ry(μm)，所述导电性粒子的平均粒径r(μm)为所述十点平均粗糙度Rz以上，且所述导电性粘接薄膜的厚度t(μm)为所述最大高度Ry以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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