[发明专利]减小电荷俘获存储器位线干扰和软擦除的方法和装置有效
| 申请号： | 200780037849.4 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101563781A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·B·詹纳 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 平衡非易失性存储器位线干扰的抑制干扰的方法和器件。其中由于抑制干扰产生的阈值偏移增加，由于位线干扰产生的阈值偏移降低，非易失性存储器由于抑制干扰产生在整个生命周期中产生的总的阈值偏移几乎等于非易失性存储器由于位线干扰产生在整个生命周期中产生的总的阈值偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 电荷 俘获 存储器 干扰 擦除 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，包括：控制存储器矩阵的共享位线；以及降低共享位线上的位线干扰以增加共享位线上的抑制干扰其中由于位线干扰引起的阈值偏移降低，由于抑制干扰引起的阈值偏移增加，以及其中由于位线干扰产生的阈值偏移乘以生命周期中位线干扰的次数几乎等于抑制干扰产生的阈值偏移乘以生命周期中抑制干扰的次数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛普拉斯半导体公司，未经赛普拉斯半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780037849.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
