[发明专利]具有双层底部电极的相变存储器无效
| 申请号： | 200780037900.1 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101523505A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种PCRAM单元具有高电阻率底部电极盖以在所述单元与所述底部电极之间的界面附近提供部分加热，从而防止非晶GST区与所述底部电极分离，并降低编程电流要求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 底部 电极 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种相变存储器单元，其包含：底部电极，其具有第一材料的下部和第二材料的上部，所述第一材料具有大致比所述第二材料低的电阻率；相变材料，其位于所述底部电极的顶部上；以及顶部电极，其位于所述相变材料上。
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