[发明专利]去氟化工艺有效
| 申请号： | 200780037972.6 | 申请日： | 2007-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101523567A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 许东浩;金智洙;S·M.·列扎·萨贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在层内形成特征的方法。在该层上形成光阻层。图案化该光阻层以形成具有光阻侧壁的光阻特征，其中该光阻特征具有第一临界尺寸。在该光阻特征的该侧壁上沉积含氟的保形层，以减小该光阻特征的临界尺寸。将氟从该保形层中去除，同时将该保形层留在原地。将特征刻蚀入该层，其中该层的特征具有第二临界尺寸，该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 工艺 | ||
【主权项】：
1. 一种在一层内形成特征的方法，包含：在该层上形成光阻层；图案化该光阻层以形成具有光阻侧壁的光阻特征，其中该光阻特征具有第一临界尺寸；在该光阻特征的该侧壁上沉积含氟的保形层，以减小该光阻特征的临界尺寸；将该含氟的保形层去氟化；及将特征刻蚀入该层，其中该层的特征具有第二临界尺寸，该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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