[发明专利]有机薄膜晶体管元件以及有机薄膜发光晶体管

摘要

本发明提供应答速度(驱动速度)为高速、并且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用其的有机薄膜发光晶体管，其中所述有机薄膜晶体管，其至少在基板上设有栅电极、源电极、漏电极的这三个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过在栅电极上施加电压来控制源-漏电极之间的电流，其特征在于，所述有机半导体层含有特定结构的化合物，另外所述有机薄膜发光晶体管，在有机薄膜晶体管中，利用流过源-漏电极之间的电流来得到发光，通过在栅电极上施加电压来控制发光。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管，其至少在基板上设有栅电极、源电极、漏电极的这三个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过在栅电极上施加电压来控制源-漏电极之间的电流，其特征在于，所述有机半导体层含有由下述通式(1)表示的化合物，(1)通式(1)中，Ar₁由下述通式(2)表示，Ar₃由下述通式(3)表示，(2)              (3)通式(2)以及(3)中，R₁～R₁₀分别独立地为氢原子、卤原子、碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的卤代烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的卤代烷氧基、碳原子数为1～30的烷硫基、碳原子数为1～30的卤代烷硫基、碳原子数为1～30的烷氨基、碳原子数为2～30的二烷基氨基、碳原子数为1～30的烷基磺酰基、碳原子数为1～30的卤代烷基磺酰基、碳原子数为6～60的芳香族烃基、碳原子数为1～60的芳香族杂环基、可具有取代基的碳原子数为1～30的烷基甲硅烷基或者氰基，这些基团可具有取代基，所述二烷基氨基中，烷基可以互相结合形成含有氮原子的环结构，R₁～R₅以及R₆～R₁₀中相邻接的基团之间能够形成饱和或不饱和的环状结构，Ar₂为可具有取代基的碳原子数为6～60的芳香族烃基、可具有取代基的碳原子数为1～60的芳香族杂环基，n为1～20的整数。