[发明专利]氮化物半导体的制造方法、结晶生长速度增加剂、氮化物单晶、晶片及器件无效
| 申请号： | 200780038372.1 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101522962A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 川端绅一郎;伊藤浩久;德克·埃伦特劳特;镜谷勇二;吉川彰;福田承生 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体的制造方法，其包括：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第13族金属元素的原料物质及矿化剂的高压釜内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，从而通过氨热性法使氮化物半导体在所述晶种的表面结晶生长的工序，其中，所述晶种上的m轴方向结晶生长速度为所述晶种上的c轴方向结晶生长速度的1.5倍以上。由此，能够高效、简便地制造具有大口径C面的氮化物半导体、及m轴方向较厚的氮化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 结晶 生长 速度 增加 晶片 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化物半导体的制造方法，该方法包括以下步骤：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第13族金属元素的原料物质及矿化剂的反应容器内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，从而通过氨热法使氮化物半导体在所述晶种的表面进行结晶生长，其中，所述晶种上m轴方向的结晶生长速度为所述晶种上c轴方向的结晶生长速度的1.5倍以上。
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