[发明专利]光电装置及其制作方法无效
| 申请号： | 200780038661.1 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101563788A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | C·卡梅利;Y·罗森瓦克斯;I·卡梅利;L·弗罗洛夫 | 申请（专利权）人： | 特拉维夫大学拉莫特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁 谋;李连涛 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本文公开了一种光电装置。装置包括一个或多个经修饰光催化单元和半导体表面。经修饰光催化单元连接到半导体表面，使得在光催化单元吸收光时，生成足量的电场以诱导在半导体内的电荷载流子运动。在一些实施例中，多个光催化单元以定向方式连接到半导体表面。该光电装置能够在干燥环境中操作。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电装置，包括至少一个经修饰光催化单元和半导体材料表面，其中所述至少一个经修饰光催化单元连接到所述半导体表面，使得在所述光催化单元吸收光时，生成足量的电场以诱导所述半导体材料内的电荷载流子运动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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