[发明专利]一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法无效
| 申请号： | 200780038770.3 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101529563A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 桶作正广;大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明;野泽俊久;井口敦智;石桥清隆 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。 | ||
| 搜索关键词： | 一体 烧结 气体 排出 极板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种簇射极板，该簇射极板配置于等离子体处理装置，为了在上述等离子体处理装置内产生等离子体而排出等离子体激励用气体，在作为等离子体激励用气体的排出路径的多个纵孔内，设有陶瓷构件和/或多孔质气体流通体，该陶瓷构件具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔，该多孔质气体流通体具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔，上述陶瓷构件和/或上述多孔质气体流通体被与上述簇射极板一体地烧结结合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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