[发明专利]具有直接沟槽多晶硅接触的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管包含含有装置部分和栅极总线部分的沟槽。沟槽的栅极总线部分被形成在衬底上方电介质层中的导电插塞接触，由此避免对传统的表面多晶硅桥接层的需要。导电插塞形成在电介质层中基本上垂直的孔中。栅极总线部分可宽于沟槽的装置部分。一种方法包含当沟槽中导电材料被蚀刻时形成浅沟槽隔离(STI)。

主权项

1.一种横向沟槽MOSFET，包含：半导体衬底；形成于衬底中的沟槽，该沟槽衬有第一电介质层并包含导电材料，该第一电介质层电绝缘该导电材料和衬底，该沟槽包含LTDMOS部分和栅极总线部分；第一导电类型的主体区域，邻接该沟槽的LTDMOS部分的侧壁；第二导电类型的源极区域，置于该衬底的顶面并邻近该主体区域；第二导电类型的漂移区域，邻近该主体区域以及该沟槽的LTDMOS部分的侧壁；第二导电类型的漏极区域，邻近该漂移区域并在与该源极区域横向分隔开的位置处置于该衬底的表面；布置在衬底的顶面上方的第二电介质层，接触孔形成在位于该沟槽的该栅极总线部分上方的该第二电介质层中；以及位于该第二电介质层上方的栅极金属层，该栅极金属层通过该接触孔与该沟槽的该栅极总线部分中的导电材料电学接触。