[发明专利]用于低暗电流成像器的隔离方法有效
申请号: | 200780038888.6 | 申请日: | 2007-10-09 |
公开(公告)号: | CN101529594A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | H·富吉塔 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于形成用于图像传感器的光敏区域之间的硅隔离界面的钝化层的方法,该方法包括:提供具有多个间隔开的光敏区域的衬底,所述光敏区域响应于入射光来收集电荷;在光敏区域之间的衬底中蚀刻槽;在各光敏区域之上形成多个掩模,使得所述掩模不覆盖光敏区域之间的槽;用第一低剂量对图像传感器进行注入,以使槽钝化;用电介质填充槽,以形成光敏区域之间的隔离;形成多个掩模,覆盖光敏区域,但不覆盖隔离槽的表面角部,以准许在槽隔离的表面角部处的钝化注入;以第二低剂量对图像传感器进行注入,以使有槽的隔离区域的表面角部钝化。 | ||
搜索关键词: | 用于 电流 成像 隔离 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成用于图像传感器的光敏区域之间的硅隔离界面的钝化层的方法,所述方法包括:(a)提供具有多个间隔开的将要形成的光敏区域的衬底,所述光敏区域响应于入射光来收集电荷;(b)在所述将要形成的光敏区域之间的衬底中蚀刻槽;(c)在所述多个将要形成的光敏区域之上形成多个掩模,使得所述掩模不覆盖所述将要形成的光敏区域之间的槽;(d)用第一低剂量对所述图像传感器进行注入,以使所述槽钝化;(e)用电介质填充所述槽,以形成所述将要形成的光敏区域之间的隔离;(f)形成多个掩模,覆盖所述将要形成的光敏区域,但不覆盖隔离槽的表面角部,以准许在槽隔离的所述表面角部处的钝化注入;以及(g)以第二低剂量对所述图像传感器进行注入,以使有槽的隔离区域的所述表面角部钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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