[发明专利]半导体晶片的评价方法有效
| 申请号： | 200780039005.3 | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101529592A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 大槻刚;吉田和彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 菅兴成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体晶片的评价方法，至少在半导体晶片的表面上形成氧化膜，然后除去一部分的该氧化膜来实行二处的开窗，接着从该二处的窗，扩散与要进行评价的半导体的导电型相异的导电型的掺杂剂，而在上述要进行评价的半导体内形成扩散部，来形成PN结，然后在上述二个扩散部之间实行漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，来评价上述半导体晶片。由此，提供一种半导体晶片的评价方法，使用结漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，便能够简单地评价半导体晶片的内部质量。特别是提供一种方法，不仅可以评价抛光晶片、外延晶片等，也可以评价绝缘层上覆硅(SOI)晶片的SOI层的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于：至少在半导体晶片的表面上形成氧化膜，然后除去一部分的该氧化膜来实行二处的开窗，接着从该二处的窗，扩散与要进行评价的半导体的导电型相异的导电型的掺杂剂，而在上述要进行评价的半导体内形成扩散部，来形成PN结，然后在上述二个扩散部之间实行漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，来评价上述半导体晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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