[发明专利]装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200780039256.1 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101529596A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 汤川干央;杉泽希;永田贵章;吉富修平;相泽道子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L21/02;H01L21/336;H01L27/10;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在用于制造柔性存储器件和半导体器件的方法中，在具有分离层的衬底上形成包括元件层和封闭元件层的绝缘层的叠层，并且从分离层分离该叠层。元件层包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。柔性存储器件和半导体器件包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括存储器元件的装置，该存储器元件包括在第一电极层和第二电极层之间的包含有机化合物的层，其中该第二电极层包括包含锡和银的合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
