[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置有效
| 申请号： | 200780039552.1 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101528972A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 大石祐一;小松孝;清田淳也;新井真 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶，用溅镀形成规定薄膜的情况下，抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a～31h投入电力，用溅镀形成规定的薄膜期间，使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时，使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶，以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时，使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜形成方法，其特征在于：给在溅镀室内与处理基板彼此相向，且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶投入电力，通过溅镀形成规定薄膜的薄膜形成方法之中，使各阴极靶平行于处理基板，以一定速度往返运动的同时，使各阴极靶的前面分别形成隧道形磁力线的磁铁组合件分别平行于各阴极靶，以一定速度往返运动，当前述各阴极靶到达折返位置时，使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780039552.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
