[发明专利]具有改进的体到栅极对准的沟槽FET有效
申请号: | 200780039592.6 | 申请日: | 2007-10-16 |
公开(公告)号: | CN101529581A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 内森·L·克拉夫特;阿肖克·沙拉;史蒂文·P·萨普;哈姆扎·耶尔马兹;丹尼尔·卡拉菲特;帝恩·E·普罗布斯特;罗德尼·S·里德利;托马斯·E·格雷布斯;克里斯托弗·B·科康;约瑟夫·A·叶季纳科;加里·M·多尔尼 | 申请(专利权)人: | 飞兆半导体公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 如下形成场效应晶体管。在第一导电类型的半导体区域中形成沟槽。用一种或多种材料部分地填充每个沟槽。执行双通角度注入以通过半导体区域的上部表面和未被一种或多种材料覆盖的上部沟槽侧壁将第二导电类型的杂质注入到半导体区域中。执行高温处理以将注入的杂质更深地推进到台地区域中从而在相邻沟槽之间形成第二导电类型的体区域。之后在每个体区域中形成第一导电类型的源极区域。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 栅极 对准 沟槽 fet | ||
【主权项】:
1.一种形成场效应晶体管的方法,包括:在第一导电类型的半导体区域中形成沟槽;用一种或多种材料部分地填充每个沟槽;执行双通角度注入,以通过所述半导体区域的上部表面以及通过未被所述一种或多种材料覆盖的上部沟槽侧壁,将第二导电类型的杂质注入到所述半导体区域中,执行高温处理以将注入的杂质更深地推进到台地区域中,从而在相邻沟槽之间形成所述第二导电类型的体区域;以及在每个体区域中形成所述第一导电类型的源极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造