[发明专利]用于对非易失性存储器单元进行低电压编程的方法及系统有效
| 申请号： | 200780039749.5 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101558450A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 达娜·李;杰弗里·卢策 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过将热载流子从具有耦合到下一相邻字线WL(n-1)的栅极节点的注入存储器单元的漏极区注入到字线WL(n)上的选定非易失性存储器单元的浮动栅极中来编程存储器阵列中具有耦合到所述字线WL(n)的栅极节点及连接到选定位线的漏极节点的所述选定非易失性存储器单元的低电压方法及系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 单元 进行 电压 编程 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种编程存储器阵列中具有耦合到字线WL(n)的栅极节点及连接到选定位线的漏极节点的选定非易失性存储器单元的低电压方法，其包括：(a)将热载流子从具有耦合到下一相邻字线WL(n-1)的栅极节点的注入存储器单元的漏极区注入到所述字线WL(n)上的所述选定非易失性存储器单元的浮动栅极中。
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