[发明专利]氮化镓晶体以及其制备方法无效
| 申请号： | 200780039788.5 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101573479A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 马克·飞利浦·德艾芙琳;东-斯尔·帕克;史蒂芬·弗兰西斯·勒伯夫;拉里·波顿·罗兰;克里斯蒂·简·纳拉恩;慧聪·洪;彼得·麦卡·山特维克 | 申请（专利权）人： | 迈图高新材料公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B9/12;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种GaN单晶，其直径至少约2.75毫米，位错密度低于约104cm-1，并基本不含倾斜晶界。还公开了一种形成GaN单晶的方法，该方法包括在一个腔室中提供成核中心、GaN源材料和GaN溶剂。将该腔室加压。在该腔室中产生第一和第二温度分布，以使在腔室成核区域中的溶剂过饱和。在腔室中的第一和第二温度分布具有不同的温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN单晶，其具有厚度w和垂直于厚度w的定义晶面的二维x和y，其中该GaN单晶在x维或y维至少之一上至少为约2.75毫米，位错密度低于约104cm-2，并基本不含倾斜晶界，其中该单晶为晶锭。
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