[发明专利]半导体构件、半导体物品制造方法以及使用该制造方法的LED阵列有效
| 申请号： | 200780039902.4 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101529605A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 米原隆夫;山方宪二;关口芳信;西康二郎 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供新型的半导体物品制造方法等。具有在半导体衬底上形成的化合物半导体多层膜的半导体物品的制造方法包括：制备构件，该构件包含化合物半导体衬底(1000)上的蚀刻牺牲层(1010)、化合物半导体多层膜(1020)、绝缘膜(2010)和半导体衬底(2000)，并具有穿过半导体衬底和绝缘膜的第一沟槽(2005)和作为被设置在化合物半导体多层膜中以与第一沟槽连接的第二沟槽的半导体衬底沟槽(1025)；通过第一沟槽和第二沟槽使蚀刻剂与蚀刻牺牲层接触；以及蚀刻所述蚀刻牺牲层以使化合物半导体衬底与所述构件分开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 构件 物品 制造 方法 以及 使用 led 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体物品的方法，所述半导体物品具有在半导体衬底上形成的化合物半导体多层膜，该方法包括以下步骤：制备构件，所述构件包含从化合物半导体衬底侧依次设置在化合物半导体衬底上的蚀刻牺牲层、化合物半导体多层膜、绝缘膜和半导体衬底，该构件具有设置在化合物半导体多层膜中的第一沟槽和穿过半导体衬底并与第一沟槽连接的第二沟槽；以及通过第一沟槽和第二沟槽使蚀刻剂与蚀刻牺牲层接触，并由此蚀刻所述蚀刻牺牲层以使化合物半导体衬底与所述构件分开。
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